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Si1557DH
Vishay Siliconix
P-CHANNEL TYPICAL CHARACTERISTICS 25 °C, unless otherwise noted
3
3.0
2.5
1
0.1
T J = 150 °C
T J = 25 °C
2.0
1.5
1.0
0.5
0.0
I D = 0.2 A
I D = 0.8 A
0.0
0.2
0.4
0.6
0. 8
1.0
1.2
0
1
2
3
4
5
0.3
0.2
0.1
0.0
- 0.1
- 0.2
V SD - So u rce-to-Drain V oltage ( V )
Source-Drain Diode Forward Voltage
I D = 100 μ A
5
4
3
2
1
0
V GS - Gate-to-Source Voltage (V)
On-Resistance vs. Gate-to-Source Voltage
- 50
- 25
0
25
50
75
100
125
150
10 -3
10 -2
10 -1
1
10
100
600
T J - Temperature (°C)
Threshold Voltage
10
Limited
by R DS(on) *
I DM Limited
Time (s)
Single Pulse Power
1
1 ms
I D Limited
10 ms
0.1
T A = 25 °C
Single Pulse
100 ms
1 s, 10 s, DC
BVDSS
Limited
0.01
Document Number: 71944
S10-1054-Rev. C, 03-May-10
0.1
1 10 100
V DS - Drain-to-Source Voltage (V)
* V GS > minimum V GS at which R DS(on) is specified
Safe Operating Area, Junction-to-Ambient
www.vishay.com
7
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